在混合集成電路電磁兼容性設計時(shí)首先要做功能性檢驗，在方案已確定的電路中檢驗電磁兼容性指標能否滿(mǎn)足要求，若不滿(mǎn)足就要修改參數來(lái)達到指標，如發(fā)射功率、工作頻率、重新選擇器件等。其次是做防護性設計，包括濾波、屏蔽、接地與搭接設計等。第三是做布局的調整性設計，包括總體布局的檢驗，元器件及導線(xiàn)的布局檢驗等。通常，電路的電磁兼容性設計包括：工藝和部件的選擇、電路布局及導線(xiàn)的布設等。混合集成電路有三種制造工藝可供選擇，單層薄膜、多層厚膜和多層共燒厚膜。薄膜工藝能夠生產(chǎn)高密度混合電路所需的小尺寸、低功率和高電流密度的元器件，具有高質(zhì)量、穩定、可靠和靈活的特點(diǎn)，適合于高速高頻和高封裝密度的電路中。但只能做單層布線(xiàn)且成本較高。